[상식][과학][전자] 반도체 웨이퍼의 dopant
wafer / 언제 dopant 를 넣는가. / 웨이퍼를 어떻게 반도체가 되는가 / 왜 웨이퍼 가 반도체인가
반도체 웨이퍼의 dopant
간단 정리
이 dopant 를 넣어서 반도체를 만들어주는 것으로 보인다. 이 dopant 를 넣는 순간은 실리콘 주괴(ingot) 를 만들때 쓰는 그 실리콘 용액에 첨가하는 듯 하다.
자료들
CZ(Czovhoralski) method
실리콘 스프에 넣는 것이 dopant 이다. 의도적으로 불순물을 넣는다.(dope)
결정성장(Crystal Growing)시 인위적으로 주입되는 Dopant 에 의해 도체(Conductor)와 부도체(Insulator) 사이의 전기전도도를 갖게 된다.[ref. 3]
실리콘 스프(soup)에 dopant 를 넣는다. dopant 가 들어오면 실리콘분자가 거기에 달라 붙는다.[ref. 2, 4]
반도체 material 의 1 cm3 부피에 doping element 1013~1016 개의 원자가 불순물로 들어가게 된다.(doped) 그래도 이것이 순도에 큰 영향을 주진 않는다. 이 불순물이 들어가도 99.9999999%의 순도를 유지한다.
from ref. 5 they are made with an impurity factor of doping, which is carried out during the formation of the semiconductor material, with the concentration of doping in between 10^13 to 10^16 atoms of doping element in a cm3 of the semiconductor material to be doped. But this added impurity still does not compromise on the overall purity, which sustain a purity level of 99.9999999% or more percent of the semiconductor material.
See Also
Reference
- [반도체 공정] 웨이퍼(Wafer)-2
- PPT - Silicon crystal structure and defects. Czochralski single crystal growth. Growth rate and dopant incorporation for CZ m PowerPoint Presentation - ID:1586749
- 반도체 웨이퍼 (Wafer) : 네이버 블로그
- What Is “Dopant” in Regard to a Silicon Wafer?, 2016
- Semiconductor Wafers: Types and Uses - Nanografi Nano Technology, 2019-12-11
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